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■仕様
| 対応ウェハーサイズ |
4' 5' 6' 8' 12' |
| 電流測定分解能/精度 |
0.1fA/100fA |
| 電圧測定分解能/精度 |
1μV /100μV |
| 最大電流値 |
1A |
| 最大電圧値 |
200V |
| 最大ピン数 |
72ピン/カード |
| プローブ手法 |
ポジショナー/カード |
| 最大低温値 |
-60度 |
| 最大高温値 |
300度 |
| カード耐熱温度 |
ガラエポ （〜 80度）
ポリイミド（〜150度）
セラミック（〜300度） |
| レーザーカッター |
YAGレーザ発信式 |
| レーザーヘッド |
ダブルリニアプッシュ式 |
| レーザー電源 |
PFN方式 |
| 最小加工幅 |
>1μm |
・ポジショナー使用時
・プローブカード装着時 |
・実際の測定結果（Vgを-20V〜+20V Sweep, Idを測定＠温度変化時） |
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IC下層配線露出
加工サイズ
25μm×20μm |
ITO膜とCr膜
エッジ部分を
シャープに加工 |
IC保護膜剥離
加工サイズ
45μm×45μm |
■200mm Wafer測定用
微小電流測定対応
レーザー＆WLRシステム
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*多種多様なカスタマイズを
お受けいたしております。 |
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