近年の最新プロセスはついに45nmのDRの先を見据えて動いている。そこで問題になるのがデバイス発熱問題だ。
SOI等のインシュレータがあるデバイスでは特に発熱の問題が著しい。これまでの研究で90nm以下のデザインに発熱が見られる事が確認されている。現象としては測定中のデバイス自己発熱により、Source-Drain間の抵抗値があがる。するとそれに伴いDrain電流は低くなってしまい、測定結果が信頼性のないデータになってしまう。
解決する為に開発されたのがこのシステムである。マニュアル/オートメーションタイプの２種類があり、自由に用途に合わせて選択できる。また、最大の利点はプローバーを選ばずにテスター選定が可能になる。マニュアルシステムはマニュアル/セミオート/オートプローバに接続可能で、オートメーションタイプはオートプローバのみと接続できる。
DC-IVとPulse-IVでの違い |
★ 世界最速の1nsパルス採用,システム上で完全パルスを再現
★ 冷却時間を1msに設定、完全冷却した事が実感できる
★ パルス幅を調節し測定時のリフレクションを完全コントロール
★ Duty Cycleを調整し、デバイスヒーティング現象を捉える |
実際に発熱をするデバイス上で今までの手法であるDC-IV測定とPulse-IV測定し比べると顕著に違いが浮彫りになる。左の図はそれをグラフにしたものである。この最新測定手法としては、高速パルスを使用、発熱時間を徹底的に排除し、クーリング（冷却）時間を右の図のように設定する。そこで難しいのがどの様に50Ωのロードラインを排除して測定するかだ。このシステムでは特殊なアルゴリズムを開発、DUTへの過剰なストレスをせずに50Ωを排除することに成功している。
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